AZ光刻胶介绍
一、AZ 6100系列
AZ 6100系列光刻胶可是G线正胶里的“明星选手”，主打高感光度和高热稳定性，专门为大规模集成电路（IC）的精细加工而生。通过优化化学配方，它在G线光源下表现超棒，感光度高、热稳定性好，还能为后续的干法刻蚀工艺提供更宽的工艺窗口。其中，AZ6130是系列里的“人气王”，厚度范围在2.5-3um，分辨率高达1.5um。它的高感光度让曝光时间更短，生产效率蹭蹭往上涨。
整个工艺流程从“前烘”到“剥离”，每一步都需要精准把控：
- **前烘**：100℃烘烤60秒，目的是去除光刻胶里的溶剂，增强它和基底的粘附性。
- **曝光**：用G线步进式或接触式曝光机，确保图案精确转移。
- **显影**：用AZ300MIF显影液，23℃下显影60秒，形成清晰的图案。
- **后烘**：120℃烘烤120秒，进一步固化光刻胶，提升抗蚀性。
- **剥离**：最后用AZ剥离液或氧等离子体灰化，完成图案剥离。
二、AZ P4000系列
AZ P4000系列光刻胶是“厚膜专家”，专为需要超厚膜层和高对比度图案的半导体制造、GMR（巨磁阻）磁头制造等场景设计。系列里包括AZ P4210、AZ P4330、AZ P4400、AZ P4620和AZ P4903等多个型号。
它的工艺流程和AZ 6100系列类似，但条件更严格：
- **前烘**：100℃烘烤90秒以上，确保光刻胶充分固化。
- **曝光**：同样用G线步进式或接触式曝光系统。
- **显影**：显影时间根据型号和膜厚调整，一般在60~300秒之间。
- **后烘**：时间也相应延长，以增强光刻胶的稳定性。
三、AZ 5200E系列
AZ 5200E系列里的AZ 5214E是个“反转高手”，厚度范围在1.2-2um，图形反转性能特别出色。它在制备复杂三维结构时，能轻松实现图案的精确控制和转移，是系列里最受欢迎的型号。
它的工艺流程有点特别：
- **前烘+初步曝光**：先形成正性图案。
- **反转烘烤**：让光刻胶性质发生变化。
- **全面曝光**：图案反转成负性。
- **显影**：用AZ300MIF、AZ Developer、AZ400K等显影液，形成最终图案。
- **后烘+剥离**：完成整个工艺。
总的来说，这三个系列各有千秋，AZ 6100系列适合精细加工，AZ P4000系列专攻厚膜应用，AZ 5200E系列则在反转工艺上表现突出。