关于中国EUV光刻机的真实进展，外界始终存在各种猜测。 根据国家知识产权局数据显示，2023年中国半导体领域专利申请量突破12万件，其中光刻技术相关专利占比达17%。 上海微电子装备集团官网显示，其28纳米浸没式光刻机已完成客户交付，而更先进的EUV设备研发仍在保密阶段。 行业观察人士指出，中国光刻机研发采取"分步突围"策略。中科院光电所研发出高NA值物镜系统，清华大学突破了激光等离子光源关键技术，这些核心部件的突破为整机集成奠定基础。值得注意的是，华为联合中芯国际实现的7纳米芯片量产，使用的正是国产DUV光刻机的多重曝光技术。 国际半导体产业协会报告显示，中国半导体设备市场规模已突破300亿美元，其中28%投入光刻机研发。尽管ASML仍垄断全球EUV市场，但中国在电子束直写、纳米压印等替代路线上的专利储备已位列全球前三。这种"明修栈道暗度陈仓"的研发模式，正在改写全球半导体产业格局。

关于中国EUV光刻机的真实进展，外界始终存在各种猜测。 根据国家知识产权局数据显示，2023年中国半导体领域专利申请量突破12万件，其中光刻技术相关专利占比达17%。 上海微电子装备集团官网显示，其28纳米浸没式光刻机已完成客户交付，而更先进的EUV设备研发仍在保密阶段。 行业观察人士指出，中国光刻机研发采取"分步突围"策略。中科院光电所研发出高NA值物镜系统，清华大学突破了激光等离子光源关键技术，这些核心部件的突破为整机集成奠定基础。值得注意的是，华为联合中芯国际实现的7纳米芯片量产，使用的正是国产DUV光刻机的多重曝光技术。 国际半导体产业协会报告显示，中国半导体设备市场规模已突破300亿美元，其中28%投入光刻机研发。尽管ASML仍垄断全球EUV市场，但中国在电子束直写、纳米压印等替代路线上的专利储备已位列全球前三。这种"明修栈道暗度陈仓"的研发模式，正在改写全球半导体产业格局。